FR | EN

Le réseau Renatech est un partenaire incontournable et de proximité pour la recherche et le développement technologique en micro et nanofabrication.

Renatech constitue un ensemble cohérent et mutualisé :

  • de plateformes technologiques ouvertes
  • d’équipements grâce à une politique nationale d’investissement
  • de savoir-faire et d’expertise scientifiques et technologiques
  • de programmes de recherche coordonnés

Spécificités des centrales du réseau

FEMTO-ST
PLATEFORME MIMENTO

Besançon

Salle blanche : 865 m² (ISO 5 à 7)
Thèmes de recherche principaux : Micro- et nano-acoustique,
micro-nano-optique, microrobotique, sillicium, MOEMS
Staff technique : 12 techniciens/ingénieurs
Equipements spécifiques : AIN deposition, E-Beam lithography,
Spray coating, Dry plasma etching (Si, quartz, LINbO3),FIB,
Wafer bonding, Precision dicing, Mechanical characterization,
Industrial production line for plezoelectric components.

LAAS

Toulouse

Salle blanche : 1 600 m² (ISO 4 à 6)
Thèmes de recherche principaux : intégration de systèmes : RF, énergie photonique, micro et nanosystèmes pour la biologie, santé et environnement
Staff technique : 36 techniciens/ingénieurs
Equipements spécifiques : Lithography (E-beam, Laser, UV by projection), PVD, Electroplating, PECVD, LPCVD, ALD, DRIE, Ion implantation, FIB, Ink jet, Screen printing, Die thinning and assembly

IEMN

Lille

Salle blanche : 1 600 m² (ISO 5 à 6)
Thèmes de recherche prinicpaux : électronique III-V, électronique souple, nanocaractérisation, MEMS-NEMS
Staff technique : 22 techniciens/ingénieurs
Equipements spécifiques : III-V epitaxy, E-Beam lithography, III-V/SI ICP plasma etching, LPCVD, PECVD, Ion implantation, FIB, AFM/STM, Four probes STM

LTM

Grenoble

Salle blanche : 1 200 m² (ISO 4 à 6)
Thèmes de recherche principaux : nano-électronique, spintronique, nanosystèmes
Staff technique : 32 techniciens/ingénieurs
Equipements spécifiques : E-Beam lithography, etching/deposition metals and oxides, Micro/nano systems, CMP, UVtherm NIL, FIB dual beam

C2N

Centrale de micro et nanotechnologie

Saclay

Logo-C2N-quadri-copie

Salle blanche : 2900 m² (ISO 4 à 7)
Thèmes recherche principaux : silicium pour la nanophotonique, spintronique, dispositifs optoélectroniques, microsystèmes, nanophotonique III-V, nano-électronique quantique, dispositifs optoélectroniques, microfluidique
Staff technique : 40 techniciens/ingénieurs
Equipements spécifiques : IV-IV epitaxy, Magnetic thin layers, E-Beam lithography, Deep-UV lithography, Direct laser writing, ICP deep etching of silicon, Optical vibrometry, III-V epitaxy (MBE, MOCVD), E-Beam lithography tools, III-V deep etching, NanoFIB, AFM/STM, nanoimprint lithography tools, STEM with correction of aberration, 3D lithography, Xray analysis